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Rohm Semiconductor DTB543ZE3TL
| Artikelnummer: | DTB543ZE3TL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.40 |
| 10+ | $0.324 |
| 100+ | $0.2208 |
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| 1000+ | $0.1242 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
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Rohm Semiconductor DTB543ZE3TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments DTB543ZE3TL.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA Transistor-Typ PNP - Pre-Biased + Diode Supplier Device-Gehäuse EMT3 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Leistung - max 150 mW Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 260 MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 100mA, 2V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA Grundproduktnummer DTB543 -
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